打破国外垄断：国产64层堆栈3D闪存量产
随着移动设备普及，移动互联网带来了更多数据存储需求，NAND闪存可以说是移动设备上最重要的部分。但是存储容量成为制约厂商最大的鸿沟，与此同时给用户带来了更高的购买成本。遗憾的是，传统NAND如果想继续增加容量就需要不断提高制程，但晶体管无限缩小后带来的是NAND性能和可靠性越来越低。
毫无疑问，随着2D平面闪存工艺进步，到达15nm的水平后，相关问题随之出现：每个闪存储存单元储存的电子越来越少，能抗磨损。所以在平面闪存已经受到物理因素限制情况下，而3D NAND闪存的出现解决了众多问题，它不再追求缩小单元，而是通过3D堆栈技术封装更多单元达到容量增多的目的。
然而，3D NAND闪存的关键技术一直掌握在日韩手里，64层堆栈3D产品走在了最前面，相关产品也已经上市，如6月15日，三星宣布其64层立体堆栈的V-NAND闪存芯片开始加速量产。此外三星还在开发下一代3D闪存，下代V-NAND应该拥有超过堆栈90层以上的水准。7月27日，东芝推出全球首款64层3D NAND的工程样品，标志着一个新的里程牌的开启，单颗Die最大256Gb的闪存正式登陆闪存界。
时隔不到一个月，国产64层堆栈3D闪存也传来了好消息，据了解，近年来紫光旗下的长江存储大举投资存储芯片产业，其中NAND闪存是优先发展对象，目前已经形成了NAND闪存研发生产、主控IC以及后端封测等全产业链，根据最新发布的信息显示，预计今年底量产64层堆栈的3D闪存，2020年则会生产128层堆栈3D闪存。
资料显示，长江存储是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。长江存储去年量产了32层堆栈的3D闪存，不过产量非常少，属于试验性的，主要用于U盘等低端产品。
在3D闪存上，长江存储自己研发了Xtacking 3D堆栈技术，今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。
根据目前发展的趋势来看，2020年也就是明年将会是100+层堆栈闪存的爆发之年，目前三星、美光等公司已经量产96层3D闪存，据悉更有甚者已经开始量产128层堆栈的闪存，预计明年的竞争将会更加激烈。
到了2020年，长江存储将会推出128层堆栈的3D闪存，在技术上缩短甚至追上与国际一流厂商的差距——今年三星、东芝、美光等公司量产了96层的3D闪存，部分厂商甚至开始量产128层堆栈的闪存。