美光宣布开始使用1z纳米工艺，同时开始量产大容量移动内存颗粒

美光宣布开始使用1z纳米工艺，同时开始量产大容量移动内存颗粒

美光于8月15日宣布他们将开始使用1z纳米工艺进行DRAM颗粒的生产，同日他们还宣布大容量的LPDDR4X内存颗粒已经开始量产了，并且提供将NAND和DRAM两种颗粒封装到一起的芯片。

DRAM制造行业的制程更新要比做计算芯片的慢一些，镁光的1z纳米工艺是他们在10纳米节点的第三代工艺，在六月份美光第三季度的财报会议准备文件中，他们就已经将迈入1z纳米工艺作为下一个财年的重要事项写进去了。而同时他们实际进入1z纳米工艺的时间也比内部时间表要早那么一些。

对于DRAM来说，更新的工艺能够做出单片容量更加大的内存颗粒来，也更加的省电。而首批采用1z纳米工艺的产品将是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X内存颗粒，尤其是后者，对于目前移动端越来越大的内存大小和带宽的需求，容量越大、速度越高并且更加省电的内存颗粒是移动厂商们的最爱，美光的大容量LPDDR4X颗粒还正好赶上了Intel的IceLake处理器开始正式出货，而新的处理器加上了对于频率为3733MHz的LPDDR4X内存支持，在中高端轻薄笔记本市场上面，美光的新颗粒也有很大的市场了。

而对于大容量的DDR4颗粒来说，它们的用途多在制造大容量内存条上面，目前单条32GB的产品还没成为桌面端的主流，但是对于工作站和服务器来说，这种单条大容量的内存条是刚需。

在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高频率可以达到4266MT/s的内存的同时，美光还提供了一种基于UFS的多芯片封装方式——uMCP4，它可以将NAND和DRAM整合在一个封装中，目前有64GB+3GB和256GB+8GB两种配置，这种封装可以减少存储芯片们所占据的位置。